<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="conference-paper" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">matmess</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Математические заметки СВФУ</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Mathematical notes of NEFU</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">2411-9326</issn><issn pub-type="epub">2587-876X</issn><publisher><publisher-name>Северо-Восточный федеральный университет имени М.К. Аммосова</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.25587/2411-9326-2025-1-106-108</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">matmess-39</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ НА КОНФЕРЕНЦИИ «НЕКЛАССИЧЕСКИЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ УРАВНЕНИЯ И МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ» Самара, 15–17 июля 2024 г.</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Обратная задача активации гетеропереходного преобразователя</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>The inverse problem of activating a heterojunction converter</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Долгополов</surname><given-names>М. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Dolgpolov</surname><given-names>M. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Долгополов Михаил Вячеславович</p><p>ул. Молодогвардейская, 244, Самара 443100</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Mikhail V. Dolgopolov</p><p>244 Molodogvardeyskaya St., Samara 443100</p></bio><email xlink:type="simple">mikhaildolgopolov68@gmail.com</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Чипура</surname><given-names>А. С.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Chipura</surname><given-names>A. S.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Чипура Александр Сергеевич</p><p>ул. Молодогвардейская, 244, Самара 443100</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Alexander S. Chipura</p><p>244 Molodogvardeyskaya St., Samara 443100</p></bio><email xlink:type="simple">alfive@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Самарский государственный технический университет</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Samara State Technical University</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2025</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>30</day><month>03</month><year>2025</year></pub-date><volume>32</volume><issue>1</issue><fpage>106</fpage><lpage>108</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Долгополов М.В., Чипура А.С., 2025</copyright-statement><copyright-year>2025</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Долгополов М.В., Чипура А.С.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Dolgpolov M.V., Chipura A.S.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://matmess.elpub.ru/jour/article/view/39">https://matmess.elpub.ru/jour/article/view/39</self-uri><abstract><p>Представлена математическая модель и проведена оптимизация бетавольтаического элемента с пленкой из карбида кремния, активируемой радионуклидом 14C. Особое внимание уделено дифференциальным уравнениям, описывающим неравновесные процессы инжекции и динамику плотностей тока в гетеропереходе SiC/Si. Решая систему уравнений, возможно определить зависимости параметров от удельной активности и распределения источника активности, поставив обратную задачу.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>A mathematical model is presented and optimization of a betavoltaic element with a silicon carbide film activated by the carbon-14 isotope is carried out. Special attention is paid to differential equations describing non-equilibrium injection processes and the dynamics of current densities in the SiC/Si heterojunction. By solving a system of equations, it was possible to determine the dependences of the parameters on the specific activity and distribution of isotopes. Optimization has led to an increase in the efficiency and specific power of the element.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>неоднородное уравнение Пуассона</kwd><kwd>уравнение непрерывности</kwd><kwd>обратная задача</kwd><kwd>активность</kwd><kwd>бетавольтаика</kwd><kwd>гетеропереход</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>inhomogeneous Poisson equation</kwd><kwd>continuity equation</kwd><kwd>inverse problem</kwd><kwd>activity</kwd><kwd>betavoltaics</kwd><kwd>heterojunction</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Долгополов М. В., Пузырная Г. В., Чепурнов В. И. и др. Исследование решений уравнений твердофазной диффузии с бета-источником // Математическое моделирование и краевые задачи : Материалы XI Всероссийской научной конференции с международным участием: в 2-х томах, 27–30 мая 2019 года. Самара: Самарский государственный технический университет. 2019. Т. 1. С. 208–212.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Долгополов М. В., Пузырная Г. В., Чепурнов В. И. и др. Исследование решений уравнений твердофазной диффузии с бета-источником // Математическое моделирование и краевые задачи : Материалы XI Всероссийской научной конференции с международным участием: в 2-х томах, 27–30 мая 2019 года. Самара: Самарский государственный технический университет. 2019. Т. 1. С. 208–212.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Chipura A. S., Dolgopolov M. V. Heterojunction betavoltaic Si14C-Si energy converter // J. Power Sources. 2024. V. 613. 234896.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Chipura A. S., Dolgopolov M. V. Heterojunction betavoltaic Si14C-Si energy converter // J. Power Sources. 2024. V. 613. 234896.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Долгополов М. В., Чипура А. С., Шишкин И. А. Идентификация и экстракция параметров фотобетаэлементов экспериментальными данными // Comp. Nanotechnol. 2023. V. 10, N 3. P. 144–160.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Долгополов М. В., Чипура А. С., Шишкин И. А. Идентификация и экстракция параметров фотобетаэлементов экспериментальными данными // Comp. Nanotechnol. 2023. V. 10, N 3. P. 144–160.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Shanxue Xi, Linxiang Li, Chunzhi Zhou et al. Researches on the performance of GaN-PIN betavoltaic nuclear battery // Radiation Effects and Defects in Solids. 2022. V. 177, N 3–4. P. 213–229.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Shanxue Xi, Linxiang Li, Chunzhi Zhou et al. Researches on the performance of GaN-PIN betavoltaic nuclear battery // Radiation Effects and Defects in Solids. 2022. V. 177, N 3–4. P. 213–229.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
